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FDN359BN

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數量：: 135349
說明：: MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDN359BN PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：5 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：46 mOhms
漏極連續電流：2.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN359BN的詳細信息，包括FDN359BN廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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