色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

FDMC8884_F126

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 MLP 3.3 x 3.3
數量:
 9012  
說明:
 MOSFET 30V N-CHAN 9A 19mOhm
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
FDMC8884_F126-MLP 3.3 x 3.3圖片

FDMC8884_F126 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

功率耗散:18 W
最小工作溫度:- 55 C
封裝形式:MLP 3.3 x 3.3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):19 mOhms
漏極連續電流:9 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDMC8884_F126的詳細信息,包括FDMC8884_F126廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • FDMC89521L圖片

    FDMC89521L

    MOSFET 20V Dual N-Channel Power Trench MOSFET

  • FDME905PT圖片

    FDME905PT

    MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET

  • FDMF3030圖片

    FDMF3030

    功率驅動器IC X Small High Perform High Freq DrMOS Mod

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 宜州市| 孙吴县| 阳曲县| 体育| 临沧市| 武宁县| 凤冈县| 镇平县| 晋宁县| 临城县| 南溪县| 剑川县| 浦城县| 高尔夫| 通海县| 长泰县| 南木林县| 太康县| 那坡县| 富平县| 乾安县| 长宁区| 河东区| 涿鹿县| 九江市| 郑州市| 南宫市| 卢氏县| 仙居县| 鄂温| 察隅县| 鲜城| 金川县| 辉县市| 赣州市| 阳山县| 浪卡子县| 中超| 中牟县| 内乡县| 乳山市|