色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDME1023PZT

FDME1023PZT

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 6-MicroFET（1.6x1.6）
數(shù)量：: 12590
說明：: MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench

一、本商品被瀏覽0次.

FDME1023PZT PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時(shí)間：4.8 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時(shí)間：16 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET 1.6 x 1.6 Thin
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：95 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 2.3 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDME1023PZT的詳細(xì)信息，包括FDME1023PZT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1