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FDD850N10L

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 23431
說明：: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD850N10L-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FDD850N10L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：50 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：31 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：64 mOhms
漏極連續(xù)電流：15.7 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD850N10L的詳細(xì)信息，包括FDD850N10L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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