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FDD86113LZ

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 4292  
說明:
 MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
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FDD86113LZ-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

FDD86113LZ PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252 (DPAK)
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):104 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:4.2 A
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD86113LZ的詳細(xì)信息,包括FDD86113LZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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