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FDB082N15A

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 3825
說明：: MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

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FDB082N15A-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

FDB082N15A PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：800
上升時間：58 ns
功率耗散：231 W
柵極電荷 Qg：64.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：139 S
下降時間：26 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.7 mOhms
漏極連續電流：105 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB082N15A的詳細信息，包括FDB082N15A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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