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FDB120N10

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 2745
說明：: MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

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FDB120N10-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

FDB120N10 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：39 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：105 ns
功率耗散：170 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：105 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.7 Ohms
漏極連續電流：74 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB120N10的詳細信息，包括FDB120N10廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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