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FDB060AN08A0

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 6719  
說(shuō)明:
 MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
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FDB060AN08A0-D2PAK(TO-263)圖片

FDB060AN08A0 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:FDB060AN08A0_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:37 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時(shí)間:79 ns
功率耗散:255 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:38 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):4.8 mOhms
漏極連續(xù)電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB060AN08A0的詳細(xì)信息,包括FDB060AN08A0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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