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FDB039N06

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數量:
 2601  
說明:
 MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm
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FDB039N06-D2PAK(TO-263)圖片

FDB039N06 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:55 ns
工廠包裝數量:800
上升時間:40 ns
功率耗散:231 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :169 S
下降時間:24 ns
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.95 m Ohms at 10 V
漏極連續電流:174 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB039N06的詳細信息,包括FDB039N06廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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