點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
認(rèn)證機(jī)構(gòu)：
封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線(xiàn)
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：290MHz
功率 - 最大值：1.6W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：120mV @ 125mA，2.5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：100V，50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5A
晶體管類(lèi)型：NPN，PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是ECH8502-TL-H的詳細(xì)信息，包括ECH8502-TL-H廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

NHUMD3F

NHUMH1F

RN1906FE,LF(CT

NSVMUN5334DW1T1G

NSVMUN5211DW1T2G

SMUN5335DW1T1G

SMUN5233DW1T1G

SMUN5113DW1T1G

SMUN5313DW1T1G

NSVBC143ZPDXV6T1G