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ECH8619-TL-E

廠家：
  onsemi
封裝：
 8-ECH
數量：
 7866  
說明：
 MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
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ECH8619-TL-E-8-ECH圖片

ECH8619-TL-E PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型N 和 P 溝道
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C93 毫歐 @ 1.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs12.8nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C3A, 2A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 560pF @ 20V
功率 - 最大1.3W
安裝類型表面貼裝

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