色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: TSOT-26
數量：: 5445
說明：: MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET

一、本商品被瀏覽0次.

DMG6601LVT-7 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：31.2 ns, 18.3 ns
上升時間：4.6 ns, 7.4 ns
功率耗散：0.85 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.4 nC, 6.5 nC
下降時間：15.6 ns, 2.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOT-26
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：55 mOhms, 110 mOhms
漏極連續電流：3.8 A, - 2.5 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V, - 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG6601LVT-7的詳細信息，包括DMG6601LVT-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ