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DMG6602SVT-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: TSOT-26
數(shù)量：: 6648
說明：: MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

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DMG6602SVT-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13 ns
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：0.84 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：4 S
下降時(shí)間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOT26-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：60 mOhms, 95 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.4 A, - 2.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG6602SVT-7的詳細(xì)信息，包括DMG6602SVT-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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