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BUK9E04-30B,127

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: I2PAK
數量：: 1890
說明：: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

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BUK9E04-30B,127 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BUK9E04-30B
典型關閉延遲時間：236 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：76 ns
功率耗散：254 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：143 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.003 Ohms
漏極連續電流：183 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是BUK9E04-30B,127的詳細信息，包括BUK9E04-30B,127廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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