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BUK9E3R2-40B,127

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: I2PAK
數量：: 1935
說明：: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

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BUK9E3R2-40B,127 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BUK9E3R2-40B
典型關閉延遲時間：257 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：268 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：192 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0028 Ohms
漏極連續電流：222 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

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