色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSS215PH6327XT

BSS215PH6327XT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT-23
數量：: 8533
說明：: MOSFET OptiMOS P2 Small Signal Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

BSS215PH6327XT PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：BSS215P BSS215PH6327XTSA1 H6327
典型關閉延遲時間：14.5 ns
上升時間：9.7 ns
功率耗散：500 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：- 3. 6 nC
下降時間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：150 mOhms at - 4.5 V
漏極連續電流：- 1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSS215PH6327XT的詳細信息，包括BSS215PH6327XT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ