色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSS308PE L6327

BSS308PE L6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-23-3
數(shù)量：: 1143
說明：: MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH

一、本商品被瀏覽0次.

BSS308PE L6327 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSS308PEL6327HTSA1 BSS308PEL6327XT SP000442474
典型關閉延遲時間：15.3 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：7.7 ns
功率耗散：500 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：80 mOhms
漏極連續(xù)電流：2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSS308PE L6327的詳細信息，包括BSS308PE L6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1