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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫歐 @ 580mA, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 3.5µA
閘電荷(Qg) @ Vgs1.38nC @ 4.5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C580mA
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 89.9pF @ 15V
功率 - 最大520mW
安裝類型表面貼裝
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