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BSS119 E7796

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數量：
 315  
說明：
 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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BSS119 E7796-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3圖片

BSS119 E7796 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 歐姆 @ 170mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：170mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：2.5nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：78pF @ 25V
功率 - 最大：360mW
安裝類型：表面貼裝

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