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BSS119E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數量:
 351  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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BSS119E6327-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

BSS119E6327 PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 歐姆 @ 170mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:170mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.3V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:2.5nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :78pF @ 25V
功率 - 最大:360mW
安裝類型:表面貼裝

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