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BSP123E6327T

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT223-4
數量:
 7776  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
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BSP123E6327T-PG-SOT223-4圖片

BSP123E6327T PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 歐姆 @ 370mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:370mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:2.4nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :70pF @ 25V
功率 - 最大:1.79W
安裝類型:表面貼裝

以上是BSP123E6327T的詳細信息,包括BSP123E6327T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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