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BSP125 E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT223-4
數(shù)量:
 7794  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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BSP125 E6327-PG-SOT223-4圖片

BSP125 E6327 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 歐姆 @ 120mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:120mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2.3V @ 94µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:6.6nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :150pF @ 25V
功率 - 最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝

以上是BSP125 E6327的詳細(xì)信息,包括BSP125 E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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