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中文參數如下： 工廠包裝數量：500 安裝風格：Screw 柵極/發射極最大電壓：20 V 封裝形式：Half Bridge GAL 1 最大工作溫度：+ 150 C 功率耗散：625 W 柵極—射極漏泄電流：400 nA 在25 C的連續集電極電流：105 A 集電極—射極飽和電壓：2.5 V 集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V 配置：Half Bridge Module 產品：IGBT Silicon Modules RoHS：是 產品種類：IGBT 模塊 制造商：Infineon
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