色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSM600D12P3G001

BSM600D12P3G001

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 模塊
數量：: 4576
說明：: 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S

一、本商品被瀏覽0次.

BSM600D12P3G001 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2450W（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：31000pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：600A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 個 N 通道（半橋）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BSM600D12P3G001的詳細信息，包括BSM600D12P3G001廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1