色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="kgewo"></strike>

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > BSM50GD120DN2

BSM50GD120DN2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: EconoPACK 2A
數(shù)量：: 398
說(shuō)明：: IGBT 模塊 1200V 50A FL BRIDGE

一、本商品被瀏覽0次.

BSM50GD120DN2 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：500
安裝風(fēng)格：Screw
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
封裝形式：EconoPACK 2A
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：350 W
柵極—射極漏泄電流：200 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：72 A
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM50GD120DN2的詳細(xì)信息，包括BSM50GD120DN2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

最新產(chǎn)品：