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BSM50GD120DN2E3226

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: EconoPACK 2
數(shù)量：: 2259
說明：: IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A

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BSM50GD120DN2E3226 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

安裝風格：Screw
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
包裝形式：Reel
封裝形式：EconoPACK 2
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：350 W
柵極—射極漏泄電流：200 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是BSM50GD120DN2E3226的詳細信息，包括BSM50GD120DN2E3226廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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