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BSM50GAL120DN2

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 Half Bridge GAL 1
數量:
 6543  
說明:
 IGBT 模塊 1200V 50A CHOPPER
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BSM50GAL120DN2-Half Bridge GAL 1圖片

BSM50GAL120DN2 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:500
安裝風格:Screw
柵極/發射極最大電壓:20 V
封裝形式:Half Bridge GAL 1
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:400 W
柵極—射極漏泄電流:400 nA
在25 C的連續集電極電流:78 A
集電極—射極飽和電壓:2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Half Bridge Module
產品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
產品種類:IGBT 模塊
制造商:Infineon

以上是BSM50GAL120DN2的詳細信息,包括BSM50GAL120DN2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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