點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：500
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：62 mm
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：3.12 KW
柵極—射極漏泄電流：200 nA
在25 C的連續集電極電流：800 A
集電極—射極飽和電壓：2.6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V
配置：Single Dual Emitter
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
產品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM400GA170DLC的詳細信息，包括BSM400GA170DLC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

最新產品：

SIR638ADP-T1-RE3

9DBU0741AKILF

TVX2V220MCD1LW

AGIB027R29A1E2VR0

GBU6D-M3/45

501FAH-ACAF

SXO75L3D381-200.000M

SW4-040120AI2NF

T493D226K035BK6310

AFS5-02001400-22-10P-6-GW