色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BSF045N03LQ3 G

BSF045N03LQ3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：
數(shù)量：: 4284
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET N-CH

一、本商品被瀏覽0次.

BSF045N03LQ3 G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSF045N03LQ3GXT BSF045N03LQ3GXUMA1 SP000597842
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：2.2 W
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0045 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSF045N03LQ3 G的詳細(xì)信息，包括BSF045N03LQ3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ