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BSF083N03LQ G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 3-WDSON
數(shù)量:
 6615  
說(shuō)明:
 MOSFET OptiMOS 2 PWR N-CH 30V 53A 8.3mOhm
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BSF083N03LQ G-3-WDSON圖片

BSF083N03LQ G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:BSF083N03LQGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14 ns
工廠包裝數(shù)量:5000
上升時(shí)間:3.2 ns
功率耗散:2.2 W
最小工作溫度:- 40 C
下降時(shí)間:2.8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:CanPAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0083 Ohms
漏極連續(xù)電流:13 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSF083N03LQ G的詳細(xì)信息,包括BSF083N03LQ G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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