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BSC750N10ND G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TDSON-8
數量:
 8151  
說明:
 MOSFET OptiMOS 2 PWR-Trans 100V 13A
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BSC750N10ND G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSC750N10NDGATMA1 BSC750N10NDGXT SP000359610
典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數量:1
上升時間:4 ns
功率耗散:1500 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):75 mOhms
漏極連續電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSC750N10ND G的詳細信息,包括BSC750N10ND G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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