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BSC886N03LS G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON
數(shù)量：: 6462
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSC886N03LS G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGXT SP000475950
典型關(guān)閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
功率耗散：2500 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6 mOhms
漏極連續(xù)電流：13 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC886N03LS G的詳細(xì)信息，包括BSC886N03LS G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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