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BSC052N03S G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-6
數量：: 5841
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH

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BSC052N03S G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSC052N03SGXT
典型關閉延遲時間：23 ns
工廠包裝數量：5000
上升時間：5 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8.2 m Ohms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC052N03S G的詳細信息，包括BSC052N03S G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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