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BSC059N03S G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-1
數量：: 5886
說明：: MOSFET N-CH 30V 17.5A

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BSC059N03S G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSC059N03SGXT
典型關閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數量：1
上升時間：4.8 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0055 Ohms
漏極連續電流：17.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC059N03S G的詳細信息，包括BSC059N03S G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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