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BSB018NE2LX G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：
數(shù)量：: 3474
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH

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BSB018NE2LX G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSB018NE2LXGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：42 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0018 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：32 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSB018NE2LX G的詳細(xì)信息，包括BSB018NE2LX G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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