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BSB053N03LP G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 3-WDSON
數(shù)量：: 5454
說明：: MOSFET OptiMOS 2 N-CH 30V 71A 5.3mOhm

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BSB053N03LP G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSB053N03LPGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19 ns
上升時(shí)間：4 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時(shí)間：3.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDSON
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0053 Ohms
漏極連續(xù)電流：17 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSB053N03LP G的詳細(xì)信息，包括BSB053N03LP G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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