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BLF6G10LS-200 /T3

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SOT502B
數(shù)量:
 5778  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
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BLF6G10LS-200 /T3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:BLF6G10LS-200,118
工廠包裝數(shù)量:100
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.06 Ohms
產(chǎn)品類型:MOSFET Power
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 65 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT502B
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:13 V
漏極連續(xù)電流:49 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:NXP

以上是BLF6G10LS-200 /T3的詳細(xì)信息,包括BLF6G10LS-200 /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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