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BLF6G10LS-200,118

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SOT502B
數量:
 6417  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
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BLF6G10LS-200,118-SOT502B圖片

BLF6G10LS-200,118 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:/T3 BLF6G10LS-200
工廠包裝數量:100
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.06 Ohms
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 65 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT502B
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:13 V
漏極連續電流:49 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:NXP

以上是BLF6G10LS-200,118的詳細信息,包括BLF6G10LS-200,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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