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FDB039N06

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數量：: 2601
說明：: MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm

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FDB039N06 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：55 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：40 ns
功率耗散：231 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：169 S
下降時間：24 ns
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.95 m Ohms at 10 V
漏極連續電流：174 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB039N06的詳細信息，包括FDB039N06廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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