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APTM120DA15G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP6
數量：
 1296  
說明：
 MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
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APTM120DA15G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C175 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 10mA
閘電荷(Qg) @ Vgs748nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C60A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 20600pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安裝類型底座安裝

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