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APTM120DA30T1G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 2814
說明：: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

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APTM120DA30T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C360 毫歐 @ 25A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs560nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 14560pF @ 25V
功率 - 最大657W
安裝類型底座安裝

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