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APTGT35DA120D1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 D1
數量：
 8703  
說明：
 IGBT 1200V 55A 205W D1
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APTGT35DA120D1G PDF參數資料

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中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.1V @ 15V, 35A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）55A
功率 - 最大205W
輸入類型標準型
安裝類型底座安裝

以上是APTGT35DA120D1G的詳細信息，包括APTGT35DA120D1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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