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APTGT35H120T1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP1
數(shù)量：
 8712  
說明：
 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
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APTGT35H120T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.1V @ 15V, 35A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）55A
電流 - 集電極截止（最大）250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)2.5nF @ 25V
功率 - 最大208W
輸入標(biāo)準(zhǔn)型
配置全橋反相器
NTC 熱敏電阻是
安裝類型底座安裝

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