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ALD110914SAL

廠家:
  Advanced Linear Devices
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 7236  
說明:
 MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
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ALD110914SAL-8-SOIC圖片

ALD110914SAL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns
工廠包裝數(shù)量:50
功率耗散:500 mW
最小工作溫度:0 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :0.0014 S
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 70 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):500 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 mA
閘/源擊穿電壓:10.6 V
汲極/源極擊穿電壓:10 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Advanced Linear Devices

以上是ALD110914SAL的詳細(xì)信息,包括ALD110914SAL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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