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ALD1109EPAL

廠家：: Advanced Linear Devices
封裝：: PDIP-8
數(shù)量：: 2646
說明：: MOSFET Dual N-Ch Pair Array

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ALD1109EPAL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
功率耗散：500 mW
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.0014 S
封裝形式：PDIP-8
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：500 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 mA
閘/源擊穿電壓：10.6 V
汲極/源極擊穿電壓：10 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Advanced Linear Devices

以上是ALD1109EPAL的詳細(xì)信息，包括ALD1109EPAL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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