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ALD1109EPAL

廠家:
  Advanced Linear Devices
封裝:
 PDIP-8
數(shù)量:
 2646  
說明:
 MOSFET Dual N-Ch Pair Array
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ALD1109EPAL-PDIP-8圖片

ALD1109EPAL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
功率耗散:500 mW
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :0.0014 S
封裝形式:PDIP-8
安裝風(fēng)格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):500 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 mA
閘/源擊穿電壓:10.6 V
汲極/源極擊穿電壓:10 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Advanced Linear Devices

以上是ALD1109EPAL的詳細(xì)信息,包括ALD1109EPAL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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