色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > 2SK3561(Q,M)

2SK3561(Q,M)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220 NIS
數(shù)量：: 8910
說明：: MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm

一、本商品被瀏覽0次.

2SK3561(Q,M) PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：26 ns
功率耗散：40 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：38 ns
封裝形式：TO-220 NIS
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.85 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3561(Q,M)的詳細信息，包括2SK3561(Q,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ