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2SK3562(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-220 SIS
數量:
 8919  
說明:
 MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm
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2SK3562(Q)-TO-220 SIS圖片

2SK3562(Q) PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:9.5 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:5 ns
功率耗散:400 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:3 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220 SIS
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.25 Ohms
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是2SK3562(Q)的詳細信息,包括2SK3562(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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