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中文參數如下：

上升時間：25 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：25 ns
封裝形式：TO-3PN
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.25 Ohms
漏極連續電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK2968的詳細信息，包括2SK2968廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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