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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：60 ns
功率耗散：150 W
柵極電荷 Qg：70 nC
下降時間：120 ns
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.25 Ohms
漏極連續電流：10 A
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK2968(F,T)的詳細信息，包括2SK2968(F,T)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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