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2SK2606(F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P(N)IS
數(shù)量:
 7497  
說明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 800V 8A Rdson 1.2 Ohm
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2SK2606(F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:25 ns
功率耗散:85 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P(N)IS
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

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